特色
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 自适应穿透保护
- 0.5Ω导通电阻和4A吸收电流能力
- 支持高达2MHz的高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低传播延迟
- 功率级停机的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低停机电源电流（5V，3μA）
- 二极管仿真可提高轻负载效率和预偏置启动应用
- 集成VCC POR（通电复位）功能
- 低三态停机保持时间（典型160ns）
- DFN包
- 无铅（符合RoHS）
ISL95808HRZ-T
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 6000+ | 1.74389 | 10463.37000 |
- 库存: 11160
- 单价: ¥10.66734
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.67
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 逻辑电压-VIL、VIH -
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 2A，2A
- 电源电压 4.5伏~5.5伏
- 上升/下降时长（典型值） 8ns, 8ns
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 8-VFDFN Exposed Pad
- 工作温度 -10摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 高侧最大电压 (自举) 33伏
- 供应商设备包装 8-DFN (2x2)
ISL95808HRZ-T 产品详情
ISL95808HRZ-T是一种高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，优化后可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。它特别适用于需要高效率和优异热性能的移动计算应用。该驱动器与Intersil多相降压PWM控制器相结合，形成了先进移动微处理器的完整单级核心电压调节器解决方案。ISL95808HRZ-T具有4A典型的下栅极驱动器下沉电流。该电流能够在相节点的上升沿期间保持较低MOSFET栅极关断。这防止了由相电压的高dv/dt引起的穿透功率损失。工作电压与移动计算机电源中常用的MOSFET的30V击穿电压相匹配。ISL95808HRZ-T还具有三态PWM输入。该PWM输入与Intersil的多相PWM控制器一起工作，将防止CPU关闭期间的负电压输出。这一特性消除了微处理器电源系统中常见的肖特基保护二极管。使用ISL9808可以将MOSFET栅极有效地切换到2MHz。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，转换时间低于10ns。用内部肖特基二极管实现自举。这降低了系统成本和复杂性，同时允许使用更高性能的MOSFET。集成了自适应直通保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL95808HRZ-T中集成了二极管仿真功能，以提高轻负载条件下的转换器效率。该特性还允许单调启动到预偏置输出。当启用二极管仿真时，驱动器将通过检测电感器电流何时达到零并随后关闭低侧MOSFET栅极来允许不连续导通模式。ISL9808HRZ-T还具有非常低的关机电源电流（5V，3μA），以确保低功耗。
ISL95808HRZ-T 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
ISL95808HRZ-T所属分类：栅极驱动器，ISL95808HRZ-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL95808HRZ-T价格参考￥10.667343，你可以下载 ISL95808HRZ-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL95808HRZ-T规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
