IXDN602SIATR零件是由IXYS制造的2安培双低端超快MOSFET驱动器，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的IXDN602SIATR组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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IXDN602PI是MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI，包括IXDN602系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表说明所示，用于低端，提供管等封装功能，单位重量设计为0.080001盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作Clare商品名。此外，包装箱为通孔，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，装置的安装类型为-55°C~150°C（TJ），供应商设备包为8-DIP（0.300“，7.62mm），分辨率位为2，数据接口独立，电压源模拟为非反相，配置为双非反相，ADC DAC数量为，Sigma Delta为4.5 V~35 V，S N比ADC DAC db Typ为0.8V、3V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，输出数量为2输出，关机为否，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为1 mA，输出电流为2 A，下降时间为6.5 ns，上升时间为7.5 ns，电源电压最大值为35 V，电源电压最小值为4.5 V，驱动器数量为2个驱动器，最大关断延迟时间为60 ns，最大接通延迟时间为60ns。
IXDN602SIA是双低侧MOSFET驱动器，包括0.019048盎司的单位重量，它们设计用于非反相类型，商品名显示在数据表注释中，用于Clare，提供最小电源电压功能，如4.5 V，最大电源电压设计用于35 V，以及IXDN602系列，该设备也可以用作7.5 ns上升时间。此外，该产品为MOSFET栅极驱动器，该器件采用管式封装，该器件具有SOIC-8封装外壳，输出电流为2A，工作电源电流为10uA，驱动器数量为2个驱动器，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40℃，最大开启延迟时间为75ns，最大关断延迟时间为75ns，最大工作温度范围为+125℃，下降时间为6.5ns。
IXDN602SI是MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO，包括独立数据接口，它们设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，以及表面安装封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，分辨率位为2，该设备为IXDN602系列，该设备具有4.5 V~35 V的Sigma Delta，S N比ADC DAC db Typ为0.8V，3V，供应商设备包为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）外露焊盘，商品名为Clare，类型为低端，电压供应模拟为非反相。
