LTC1981/LTC1982ES6是低功耗、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。一旦栅极充电，内部调节电路允许每个驱动器的静态电流降至10µA（LTC1981为20µA）。
低静态电流和低关机电流（低于1µA）使这些部件成为电池和其他功率受限系统的理想选择。宽输入电压范围适应各种电池/输入配置。
栅极驱动器内部箝位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高侧或低侧模式下驱动。
LTC1981单驱动器版本还包括一个栅极驱动就绪引脚和两倍于双驱动器LTC1982的驱动电流容量。
LTC1981有5针SOT-23。LTC1982ES6提供6针SOT-23。
特色
- 无需外部组件
- 内部电压三倍频器产生逻辑电平FET的高侧栅极驱动
- 超低功率：
- 每个驱动器通电电流10µA（LTC1982）
- 20µA ON电流（LTC1981）
- <1µA关闭电流
- VCC范围：1.8V至5V
- 关闭期间栅极驱动输出接地
- 栅极驱动输出内部箝位至最大7.5V
- “门驱动就绪”输出（LTC1981）
- Ultrasmall应用电路
- 5针SOT-23封装（LTC1981）
- 6针SOT-23封装（LTC1982）
应用
- 行动电话
- 便携式POS终端
- 手持式电池供电设备
（图片：引出线）
