UCC27512MDRSTEP单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27512MDRSTEP采用了一种固有的最小化穿透电流的设计，能够将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，从而提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为13纳秒）。
UCC27512MDRSTEP提供4-A源，8-A宿（不对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强大吸收能力增强了对寄生米勒开启效应的免疫力。
UCC27512MDRSTEP设计用于在4.5 V至18 V的宽VDD范围和–55°C至125°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
特色
- 低成本的门驱动器设备，提供NPN和PNP分立解决方案的卓越替代
- 4-A峰值源和8-A峰值汇不对称驱动
- 强吸收电流增强了对米勒开启的抗扰度
- 快速传播延迟（典型值为13 ns）
- 快速上升和下降时间（典型值为9纳秒和7纳秒）
- 4.5V至18-V单电源范围
- VDD UVLO期间输出保持低（确保通电和断电时无故障运行）
- TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 高噪声抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（选择反相（IN-引脚）或非反相（IN+引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可用于启用或禁用功能
- 输入引脚浮动时输出保持低
- 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 6针DRS（3mm×3mm WSON，带外露热垫）封装
- 受控基线
- 一个组装和测试现场
- 一个制造现场
- 适用于军用（-55°C至125°C）温度范围
- 延长产品生命周期
- 扩展产品更改通知
- 产品可追溯性
UCC27512单通道、高速、低侧栅极驱动器设备能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27512采用了一种固有的最小化穿透电流的设计，能够将高峰值电流脉冲发射和吸收到电容性负载中，从而提供轨对轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为13纳秒）。
UCC27512提供4-A源，8-A宿（不对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强大吸收能力增强了对寄生米勒开启效应的免疫力。
UCC27512设计用于在4.5 V至18 V的宽VDD范围和–55°C至125°C的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路将输出保持在VDD工作范围外的低电平。在诸如低于5V的低电压水平下操作的能力以及最佳的开关特性特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，例如GaN功率半导体器件。
