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IXDN602PI是MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI，包括IXDN602系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表说明所示，用于低端，提供管等封装功能，单位重量设计为0.080001盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作Clare商品名。此外，包装箱为通孔，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，装置的安装类型为-55°C~150°C（TJ），供应商设备包为8-DIP（0.300“，7.62mm），分辨率位为2，数据接口独立，电压源模拟为非反相，配置为双非反相，ADC DAC数量为，Sigma Delta为4.5 V~35 V，S N比ADC DAC db Typ为0.8V、3V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，输出数量为2输出，关机为否，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为1 mA，输出电流为2 A，下降时间为6.5 ns，上升时间为7.5 ns，电源电压最大值为35 V，电源电压最小值为4.5 V，驱动器数量为2个驱动器，最大关断延迟时间为60 ns，最大接通延迟时间为60ns。
IXDN55N120D1是IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于在2.8V@15V、55A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供供应商设备包功能，如SOT-227A，系列设计用于IXDN55N220以及450W功率最大值，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为SOT-227-4，miniBLOC，该器件提供无NTC热敏电阻，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为底盘安装，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为3.3nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，集电极Ic Max为100A，集电极截止电流Max为3.8mA，连续集电极电流Ic Max是100A，配置为单一，集电极发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射极饱和电压为2.3V。
IXDN602D2TR带电路图，包括独立数据接口，设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，以及表面安装封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，分辨率位为2，该设备提供4.5 V~35 V Sigma Delta，该设备具有0.8V、3V的S/N比ADC DAC db Typ，供应商设备包为8-VDFN外露焊盘，商品名为Clare，类型为Low Side，电压供应模拟为非反相。
