所有商标均为其各自所有者的财产。
描述LMG1020YFFR器件是一种单低端驱动器，设计用于驱动高速应用中的GaN FET和逻辑级MOSFET，包括LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低端驱动器的功率转换器。LMG1020YFFR的设计简单，可实现2.5纳秒的极快传播延迟和1纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻器，可以独立调节上拉和下拉边缘的驱动强度。
在过载或故障情况下，驱动器具有欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP）功能。
LMG1020YFFR的0.8-mm×1.2-mm WCSP封装在高频应用中使栅极回路电感最小化，功率密度最大化。
特色
- 用于GaN和硅FET的低侧超快栅极驱动器
- 1 ns最小输入脉冲宽度
- 最高60 MHz运行
- 典型2.5 ns，最大传播延迟4.5 ns
- 400 ps典型上升和下降时间
- 7-A峰值源和5-A峰值汇电流
- 5V电源电压
- UVLO和过热保护
- 0.8 mm×1.2 mm WCSP包装
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述LMG1020器件是一种单低端驱动器，设计用于驱动高速应用中的GaN FET和逻辑级MOSFET，包括LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低端驱动器的功率转换器。LMG1020的设计简单，可实现2.5纳秒的极快传播延迟和1纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻器，可以独立调节上拉和下拉边缘的驱动强度。
在过载或故障情况下，驱动器具有欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP）功能。
LMG1020的0.8-mm×1.2-mm WCSP封装在高频应用中使栅极回路电感最小化，功率密度最大化。
