L6398DTR是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
特色
- 290 mA电源
- 430毫安汇
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 15.28251 | 15.28251 |
10+ | 13.70356 | 137.03567 |
25+ | 12.92712 | 323.17820 |
100+ | 11.01355 | 1101.35540 |
250+ | 10.34170 | 2585.42550 |
500+ | 9.04884 | 4524.42250 |
1000+ | 8.53662 | 8536.62700 |
2500+ | 8.53662 | 21341.56750 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
L6398DTR是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...