·设计用于自举操作的浮动通道完全可操作至+50V或+60V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
·两个通道的栅极驱动电源范围为10至20V·欠压锁定
·3.3V逻辑兼容从3.3V到20V的独立逻辑电源范围逻辑和电源接地±5V偏置
·CMOS施密特触发输入,带下拉·逐周期边沿触发关闭逻辑
·两个信道的匹配传播延迟
·输出与输入同相
描述
IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGB T驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟,以简化高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达500或600伏。
(图片:引出线)