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CSD88539NDT是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC,包括NexFET?系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.019048盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有8-SO供应商器件封装,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),最大功率为2.1W,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为741pF@30V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为15A,最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@5A,10V,Vgs最大Id为3.6V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为9.4nC@10V,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为4ns,上升时间为9ns,Vgs栅源极电压为20V,Id连续漏极电流为11.7A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds漏极-源极电阻为27mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为14ns,典型接通延迟时间为5ns,Qg栅极电荷为7.2nC,正向跨导最小值为19S,沟道模式为增强。
CSD88539ND是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC,包括3.6V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压,Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中,用于20 V,提供Vds漏极-源极击穿电压特性,如60 V,单位重量设计用于0.019048盎司,以及2 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,商品名为NexFET,该器件采用Si技术提供,该器件具有8-SOIC供应商器件包,系列为NexFET?,上升时间为9ns,Rds On Max Id Vgs为28mOhm@5A,10V,Rds On漏极-源极电阻为23mOhm,Qg栅极电荷为7.2nC,最大功率为2.1W,Pd功耗为2.1W,封装外壳为8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,输入电容Ciss Vds为741pF@30V,Id连续漏极电流为11.7 A,栅极电荷Qg Vgs为9.4nC@10V,正向跨导最小值为19 S,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为标准,下降时间为4 ns,漏极到源极电压Vdss为60V,电流连续漏极Id 25°C为15A,配置为双。
CSD95372AQ5M是IC SYNC BUCK NEXFET 12SON,包括同步降压转换器应用程序,它们设计为与PowerStage配置一起运行,数据表注释中显示了60A中使用的电流输出通道,提供电流峰值输出功能,如90A,故障保护设计用于过温、穿透、UVLO以及自举电路,状态标志功能,该设备也可用作PWM接口。此外,负载类型为感应式,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,安装类型为表面安装,安装方式为SMD/SMT,其工作温度范围在-55℃~150℃(TJ),输出配置为半桥,封装箱为12功率LFDFN,包装为Digi-ReelR替代包装,系列为NexFET?,供应商设备包为12-LSON(5x6),技术为功率MOSFET,商品名为NexFET,类型为高低压侧驱动器,电压负载为4.5V~16V,电压供应为4.5V~5.5V。