特色
- 驱动N沟道FET全桥,包括高侧斩波能力
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在+50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
- 用户可编程停滞时间
- 电荷泵和自举保持上偏压电源
- DIS(禁用)引脚将闸门拉低
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 极低功耗
- 欠电压保护
- 无铅可选
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 38.96825 | 38.96825 |
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