所有商标均为其各自所有者的财产。
描述LM27222是一个双N沟道MOSFET驱动器，设计用于驱动推挽配置中的MOSFET，通常用于同步降压调节器。LM27222从控制器获取PWM输出，并向功率级MOSFET提供适当的定时和驱动电平。自适应穿透保护可防止损坏和效率降低穿透电流，从而确保能够与几乎任何MOSFET一起使用的稳健设计。自适应穿透保护电路还将死区时间降低至10ns，确保最高的运行效率。LM27222的每个驱动器的峰值源电流和漏电流分别约为3A和4.5A，Vgs为5V。通过将传播延迟保持在8ns，系统性能也得到了提高。通过LEN引脚支持同步、非同步和二极管仿真模式，再次提高了所有负载电流下的效率。在MOSFET的输出端实现的最小输出脉冲宽度低至30ns。这在降压调节器设计中实现了在非常高的转换比下的高工作频率。为了支持笔记本电脑系统中的低功耗状态，当in和LEN输入为低或浮动时，LM27222仅从5V轨汲取5μA电流。
特色
- 自适应穿透保护
- 10ns停滞时间
- 8ns传播延迟
- 最小开启时间30ns
- 0.4? 下拉和0.9？拉起驱动器
- 4.5A峰值驱动电流
- MOSFET容限设计
- 5μA静态电流
- 降压配置中的30V最大输入电压
- 4V至6.85V工作电压
- SOIC-8和WSON封装
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描述LM27222是一个双N沟道MOSFET驱动器，设计用于驱动推挽配置中的MOSFET，通常用于同步降压调节器。LM27222从控制器获取PWM输出，并向功率级MOSFET提供适当的定时和驱动电平。自适应穿透保护可防止损坏和效率降低穿透电流，从而确保能够与几乎任何MOSFET一起使用的稳健设计。自适应穿透保护电路还将死区时间降低至10ns，确保最高的运行效率。LM27222的每个驱动器的峰值源电流和漏电流分别约为3A和4.5A，Vgs为5V。通过将传播延迟保持在8ns，系统性能也得到了提高。通过LEN引脚支持同步、非同步和二极管仿真模式，再次提高了所有负载电流下的效率。在MOSFET的输出端实现的最小输出脉冲宽度低至30ns。这在降压调节器设计中实现了在非常高的转换比下的高工作频率。为了支持笔记本电脑系统中的低功耗状态，当in和LEN输入为低或浮动时，LM27222仅从5V轨汲取5μA电流。
