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L6393DTR

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.93438 15.93438
10+ 14.32645 143.26456
25+ 13.51525 337.88127
100+ 11.51403 1151.40380
250+ 10.81133 2702.83300
500+ 9.45995 4729.97600
1000+ 8.92455 8924.55700
2500+ 8.92455 22311.39250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.48580
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.93
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 上升/下降时长(典型值) 75ns, 35ns
  • 供应商设备包装 14-SO
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.1伏、1.9伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 290毫安, 430毫安

L6393DTR 产品详情

L6393DTR是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。

高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。
逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于微控制器/DSP接口。
IC嵌入了一个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。

特色

  • 290毫安电源,
  • 430毫安汇
  • 开关时间75/35纳秒,上升/下降,1 nF负载
  • 3.3 V、5 V CMOS/TTL输入比较器,带滞后
  • 集成自举二极管

  • L6393DTR所属分类:栅极驱动器,L6393DTR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L6393DTR价格参考¥14.485800,你可以下载 L6393DTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L6393DTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

    意法半导体 (STMicroelectronics)

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