TPS28225-Q1是具有自适应死区控制的N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器。该驱动器经过优化，可用于各种大电流、单相和多相DC-DC转换器。TPS28225-Q1效率高，解决方案尺寸小，EMI发射低。
TPS28225-Q1器件提供高性能特性，例如8.8V栅极驱动电压、14ns自适应死区时间控制、14ns传播延迟和高电流2-a源极和4-a宿极驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗将功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下，并确保在高dV/dt相节点转变时没有击穿电流。自举电容器由内部二极管充电，该二极管允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。
TPS28225-Q1采用经济型SOIC-8封装和热增强型小型VSON封装。指定驱动器在-40°C至105°C的温度范围内工作，绝对最高结温为150°C。
特色
- 具备汽车应用资格
- 驱动两个具有14ns自适应死区时间的N沟道MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5 V至8.8 V，在7 V至8 V时效率最佳
- 宽功率系统传动系输入电压：3 V至27 V
- 宽输入PWM信号：2 V至13.2V振幅
- 能够驱动每相电流≥40-A的MOSFET
- 高频操作：14ns传播延迟和10ns上升或下降时间允许FSW高达2MHz
- 能够传播<30 ns的输入PWM脉冲
- 低侧驱动器漏通电阻（0.4Ω）可防止dV/dT相关的直通电流
- 功率级停机的3状态PWM输入
- 同一引脚上的空间节省启用（输入）和电源良好（输出）信号
- 热关机
- UVLO防护
- 内部自举二极管
- 经济型SOIC-8和热增强型3-mm×3-mm VSON-8封装
- 高性能替代流行的三态输入驱动程序
TPS28225-Q1是具有自适应死区控制的N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器。该驱动器经过优化，可用于各种大电流、单相和多相DC-DC转换器。TPS28225-Q1效率高，解决方案尺寸小，EMI发射低。
TPS28225-Q1器件提供高性能特性，例如8.8V栅极驱动电压、14ns自适应死区时间控制、14ns传播延迟和高电流2-a源极和4-a宿极驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗将功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下，并确保在高dV/dt相节点转变时没有击穿电流。自举电容器由内部二极管充电，该二极管允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。
TPS28225-Q1采用经济型SOIC-8封装和热增强型小型VSON封装。指定驱动器在-40°C至105°C的温度范围内工作，绝对最高结温为150°C。
