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NCP5304DR2G

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.06523 15.06523
10+ 13.53698 135.36980
25+ 12.77068 319.26702
100+ 10.87956 1087.95600
250+ 10.21567 2553.91900
500+ 8.93875 4469.37650
1000+ 8.43276 8432.76400
2500+ 8.43276 21081.91000
  • 库存: 15884
  • 单价: ¥15.06523
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.07
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 250毫安, 500毫安
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.3伏
  • 上升/下降时长(典型值) 85ns, 35ns

NCP5304DR2G 产品详情

NCP5304DR2G是一种高压功率门驱动器,提供两个输出,用于半桥配置的2个N沟道功率MOSFET或IGBT的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧功率开关的正确驱动。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入工作。

特色

  • 高压范围:最高600V
  • dV/dt抗扰度±50 V/ns
  • 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
  • 高和低驱动输出
  • 输出源/汇电流能力250 mA/500 mA
  • 3.3 V和5 V输入逻辑兼容
  • 输入引脚上高达Vcc摆动
  • 两个信道之间的匹配传播延迟
  • 输出与输入同相
  • 100ns内部固定死区的交叉传导保护
  • 两个通道的欠Vcc锁定(UVLO)
  • 符合行业标准的针对针

应用

  • 半桥功率转换器
  • 全桥转换器


(图片:引出线)


NCP5304DR2G所属分类:栅极驱动器,NCP5304DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP5304DR2G价格参考¥15.065232,你可以下载 NCP5304DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP5304DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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