LTC1255CS8双高端驱动器允许在高端工业和汽车开关应用中使用低成本N沟道FET。内部电荷泵将栅极驱动电压提升到正轨之上,从而在没有外部组件的情况下充分增强N沟道MOS开关。低功耗操作,12µA待机电流,可在几乎所有系统中使用,效率最高。
芯片上包括独立的过电流感应,以在短路时自动关闭。可以向电流感测添加时间延迟,以防止在高浪涌电流负载上的错误触发。
LTC1255CS8的工作电压为9V至24V,非常适合工业和汽车应用。
LTC1255CS8既有8引脚DIP,也有8引脚SOIC。
特色
- 全面增强N沟道功率MOSFET
- 12µA备用电流
- 工作电压为9V至24V
- 短路保护
- 易于防止电源瞬变
- 受控开启和关闭时间
- 无外部充电泵组件
- 与标准逻辑系列兼容
- 提供8引脚SOIC
应用
- 电磁阀驱动器
- 直流电机驱动器
- 步进电机驱动器
- 灯驱动器/调光器
- 继电器驱动器
- 低频H桥
- P通道开关的更换