TND525SS-TL-2H

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TND523SS-TL-2H是IC DVR EXPD 525V 0.6A 8SOIC，包括TND523SS系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供功率MOSFET等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作通用应用。此外，接口为开/关，设备提供10 V～20 V电压供应，设备具有供应商设备包的8-SOIC，输出配置为半桥，负载类型为电感，电流峰值输出为200mA、400mA，电压负载为600V（最大值）。

TND524VS-TL-H是IC DVR EXPD 600V 0.17A VEC8，包括10 V～20 V电压源，设计用于600V（最大）电压负载，数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，该功率MOSFET提供了供应商设备包功能，如8-VEC，系列设计用于TND524VS，以及磁带和卷轴（TR）封装，扁平引线封装外壳。此外，输出配置为半桥，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备具有安装型表面安装，负载类型为感应式，接口为开/关，电流峰值输出为200mA、400mA，应用为通用型。

TND525SS-TL，带有ON制造的电路图。TND525SS TL有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是PMIC-全半桥驱动器的一部分，支持IC DVR EXPD 600V 0.17A 8SOIC。