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PWD13F60

  • 描述:负载的类型: 归纳 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥(2) 电源电压: 15伏 供应商设备包装: 28-VFQFPN (10x13) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 53.52503 53.52503
10+ 48.33187 483.31872
25+ 46.08512 1152.12810
80+ 40.01615 3201.29224
230+ 38.21795 8790.13057
816+ 37.11515 30285.96648
  • 库存: 0
  • 单价: ¥48.67229
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥53.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 负载的类型 归纳
  • 安装类别 表面安装
  • 负载电压 -
  • 技术 功率MOSFET
  • 故障保护 欠压保护
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 连接口 Logic
  • 特点 -
  • 输出配置 半桥(2)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 应用及使用 工业的
  • 典型导通电阻 320欧姆
  • 输出电流 / 通道 8A
  • 峰值输出电流 32A
  • 电源电压 15伏
  • 包装/外壳 28-PowerVQFN
  • 供应商设备包装 28-VFQFPN (10x13)

PWD13F60 产品详情

PWD13F60是一种高密度功率驱动器,集成了双半桥配置的栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。

集成功率MOSFET具有低RDS(打开)320 mΩ和600 V漏极-源极击穿电压,而嵌入式栅极驱动器高压侧可由集成自举二极管轻松供电。该设备的高度集成允许在极小的空间内高效地驱动负载。
PWD13F60设备接受电源电压(V科科斯群岛)并且通过电源电压上的低电压UVLO检测来保护。
扩展的输入引脚范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
该设备采用紧凑型VFQFPN封装。

特色

  • 低RDS(打开)=320 mΩ
  • BV公司决策支持系统=600伏
  • 适用于作为
    • 全桥
    • 双独立半桥
  • 宽驱动器电源电压低至6.5 V
  • 电源电压UVLO保护
  • 3.3 V至15 V兼容输入,具有滞后和下拉功能
  • 防止交叉传导的联锁功能
  • 内部自举二极管
  • 输出与输入同相
  • 非常紧凑和简化的布局
  • 灵活、简单、快速的设计

  • PWD13F60所属分类:桥式驱动器,PWD13F60 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PWD13F60价格参考¥48.672288,你可以下载 PWD13F60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PWD13F60规格参数、现货库存、封装信息等信息!

    意法半导体 (STMicroelectronics)

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