PWD13F60是一种高密度功率驱动器,集成了双半桥配置的栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。
集成功率MOSFET具有低RDS(打开)320 mΩ和600 V漏极-源极击穿电压,而嵌入式栅极驱动器高压侧可由集成自举二极管轻松供电。该设备的高度集成允许在极小的空间内高效地驱动负载。
PWD13F60设备接受电源电压(V科科斯群岛)并且通过电源电压上的低电压UVLO检测来保护。
扩展的输入引脚范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
该设备采用紧凑型VFQFPN封装。
特色
- 低RDS(打开)=320 mΩ
- BV公司决策支持系统=600伏
- 全桥
- 双独立半桥