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LTC1155IS8#PBF

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~18伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 模拟器件公司 (Analog)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 88.29095 88.29095
10+ 79.72984 797.29843
25+ 76.01858 1900.46452
100+ 66.00599 6600.59960
250+ 63.03988 15759.97100
500+ 57.72229 28861.14600
  • 库存: 1796
  • 单价: ¥88.29095
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥88.29
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 上升/下降时长(典型值) -
  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
  • 电源电压 4.5伏~18伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 驱动器配置 高压侧
  • 供应商设备包装 8-SO

LTC1155IS8#PBF 产品详情

LTC115IS8双高侧栅极驱动器允许在高侧开关应用中使用低成本N沟道FET。内部电荷泵将栅极提升到正轨上方,完全增强了N沟道MOSFET,无需外部组件。微功率操作,具有8μA待机电流和85μA工作电流,允许在几乎所有系统中以最高效率使用。

芯片上包括过电流感应,以在短路时自动关闭。时间延迟可以与电流感测串联添加,以防止在高浪涌负载(如电容器和白炽灯)上的错误触发。

LTC115IS8在4.5V至18V电源输入下工作,并安全地驱动几乎所有FET的栅极。LTC115IS8非常适合低电压(电池供电)应用,特别是需要微功率“休眠”操作的应用。

LTC115IS8可用于8引脚PDIP和8引脚SO封装。

特色

  • 全面增强N沟道功率MOSFET
  • 8μA备用电流
  • 85μA ON电流
  • 短路保护
  • 宽电源范围:4.5V至18V
  • 受控开启和关闭时间
  • 无外部充电泵组件
  • 取代P沟道高侧MOSFET
  • 与标准逻辑系列兼容
  • 提供8针SO封装

应用

  • 笔记本电脑电源总线切换
  • SCSI终端电源切换
  • 移动电话电源管理
  • P通道开关的更换
  • 继电器和电磁阀驱动器
  • 低频半H桥
  • 电机转速和扭矩控制
LTC1155IS8#PBF所属分类:栅极驱动器,LTC1155IS8#PBF 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LTC1155IS8#PBF价格参考¥88.290951,你可以下载 LTC1155IS8#PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LTC1155IS8#PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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