LTC115IS8双高侧栅极驱动器允许在高侧开关应用中使用低成本N沟道FET。内部电荷泵将栅极提升到正轨上方,完全增强了N沟道MOSFET,无需外部组件。微功率操作,具有8μA待机电流和85μA工作电流,允许在几乎所有系统中以最高效率使用。
芯片上包括过电流感应,以在短路时自动关闭。时间延迟可以与电流感测串联添加,以防止在高浪涌负载(如电容器和白炽灯)上的错误触发。
LTC115IS8在4.5V至18V电源输入下工作,并安全地驱动几乎所有FET的栅极。LTC115IS8非常适合低电压(电池供电)应用,特别是需要微功率“休眠”操作的应用。
LTC115IS8可用于8引脚PDIP和8引脚SO封装。
特色
- 全面增强N沟道功率MOSFET
- 8μA备用电流
- 85μA ON电流
- 短路保护
- 宽电源范围:4.5V至18V
- 受控开启和关闭时间
- 无外部充电泵组件
- 取代P沟道高侧MOSFET
- 与标准逻辑系列兼容
- 提供8针SO封装
应用
- 笔记本电脑电源总线切换
- SCSI终端电源切换
- 移动电话电源管理
- P通道开关的更换
- 继电器和电磁阀驱动器
- 低频半H桥
- 电机转速和扭矩控制