FAN8811是高侧和低侧栅极驱动IC,设计用于高电压、高速、驱动MOSFET,工作电压高达80V。FAN8811集成了驱动器IC和自举二极管。驱动器IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟,这进一步提高了部件的性能。高速双栅极驱动器被设计为以半桥或同步降压配置驱动N沟道MOSFET的高侧和低侧。浮动高侧驱动器能够在高达80V的电源电压下工作。在双栅极驱动器中,高侧和低侧各自具有独立的输入,这允许应用中输入控制信号的最大灵活性。PWM输入信号(高电平)可以是3.3V、5V或高达VDD逻辑输入,以涵盖所有可能的应用。用于高侧驱动器偏置电源的自举二极管集成在芯片中。高侧驱动器参考开关节点(HS),开关节点通常是高侧MOSFET的源极引脚和低侧MOSFET漏极引脚。低端驱动器参考VSS,VSS通常接地。包含的功能包括输入级、UVLO保护、电平移位、自举二极管和输出驱动器级。
特色
- 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
- 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压范围高达100V
- 3 A源,6 A汇输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为6 ns/4 ns
- TTL兼容输入阈值
- 宽电源电压范围7.5 V至16 V(绝对最大值18 V)
- 快速传播延迟时间(典型值30 ns)
- 2 ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C至125°C
应用
- 半桥和全桥转换器
- 同步降压转换器
- 两个开关正向转换器
- 电信和数据通信电源
- D类音频放大器