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FAN8811MNTXG

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 高端和低端 通道类型: 独立的 电源电压: 7.5V ~ 16V 供应商设备包装: 10-WDFN(4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.38296 17.38296
10+ 15.63017 156.30178
25+ 14.74364 368.59117
100+ 12.56208 1256.20860
250+ 11.79578 2948.94675
500+ 10.32127 5160.63850
1000+ 9.73699 9736.99300
3000+ 9.73699 29210.97900
  • 库存: 1319
  • 单价: ¥17.38296
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.38
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 100伏
  • 驱动器配置 高端和低端
  • 电源电压 7.5V ~ 16V
  • 包装/外壳 10-WDFN外露衬垫
  • 逻辑电压-VIL、VIH 2V, 1.8V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3A,6A
  • 上升/下降时长(典型值) 6ns, 4ns
  • 供应商设备包装 10-WDFN(4x4)

FAN8811MNTXG 产品详情

FAN8811是高侧和低侧栅极驱动IC,设计用于高电压、高速、驱动MOSFET,工作电压高达80V。FAN8811集成了驱动器IC和自举二极管。驱动器IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟,这进一步提高了部件的性能。高速双栅极驱动器被设计为以半桥或同步降压配置驱动N沟道MOSFET的高侧和低侧。浮动高侧驱动器能够在高达80V的电源电压下工作。在双栅极驱动器中,高侧和低侧各自具有独立的输入,这允许应用中输入控制信号的最大灵活性。PWM输入信号(高电平)可以是3.3V、5V或高达VDD逻辑输入,以涵盖所有可能的应用。用于高侧驱动器偏置电源的自举二极管集成在芯片中。高侧驱动器参考开关节点(HS),开关节点通常是高侧MOSFET的源极引脚和低侧MOSFET漏极引脚。低端驱动器参考VSS,VSS通常接地。包含的功能包括输入级、UVLO保护、电平移位、自举二极管和输出驱动器级。

特色

  • 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
  • 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
  • 自举电源电压范围高达100V
  • 3 A源,6 A汇输出电流能力
  • 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为6 ns/4 ns
  • TTL兼容输入阈值
  • 宽电源电压范围7.5 V至16 V(绝对最大值18 V)
  • 快速传播延迟时间(典型值30 ns)
  • 2 ns延迟匹配(典型)
  • 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
  • 工作结温度范围-40°C至125°C

应用

  • 半桥和全桥转换器
  • 同步降压转换器
  • 两个开关正向转换器
  • 电信和数据通信电源
  • D类音频放大器
FAN8811MNTXG所属分类:栅极驱动器,FAN8811MNTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FAN8811MNTXG价格参考¥17.382960,你可以下载 FAN8811MNTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FAN8811MNTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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