说明：
TC4421CPA是能够驱动大型MOSFET和IGBT的高电流缓冲器/驱动器。这些设备基本上不受任何形式的干扰，除了直接过电压或过耗散。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都不能锁定它们。当接地端子上存在高达5V的接地弹跳时，这些部件不会受到损坏或操作不当。它们可以在没有损坏或逻辑混乱的情况下，接受超过1A的任何极性感应电流强制返回其输出。此外，所有端子都受到充分保护，以防高达4 kV的静电放电。
TC4421CPA输入可直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，300 mV的滞后被内置到输入中，提供抗噪声能力，并允许设备从缓慢上升或下降的波形中被驱动。TC442系列9A MOSFET驱动器具有表面安装和引脚通孔封装以及四个工作温度范围，适用于需要高栅极/线电容驱动的任何应用。
特征：
•高峰值输出电流：9A
•宽输入电源电压工作范围：
-4.5V至18V
•高连续输出电流：最大2A
•快速上升和下降时间：
-30 ns，4700 pF负载
-180 ns，47000 pF负载
•短传播延迟：30 ns（典型）
•低电源电流：
-带逻辑“1”输入–200µA（典型）
-带逻辑“0”输入–55µA（典型）
•低输出阻抗：1.4 （典型）
•闭锁保护：可承受1.5A输出反向电流
•输入可承受高达5V的负输入
•引脚与TC4420/TC44296A MOSFET驱动器兼容
•节省空间的8引脚6x5 DFN-S封装
应用：
•重载线路的线路驱动器
•脉冲发生器
•驱动最大的MOSFET和IGBT
•本地电源开/关开关
•电机和电磁阀驱动器
特色
- 坚固的CMOS™ 建设
- 高峰值输出电流：9A
- 高连续输出电流：最大2A
- 快速上升和下降时间：
- 30nsec，4700pF负载
- 180nsec，47000pF负载
- 短内部延迟：30纳秒典型值。
- 低输出阻抗：1.4Ω典型值。
（图片：引出线）
