TPS51601ADRBT是带有集成升压开关的同步降压MOSFET驱动器。这种高性能驱动器能够以最高速度和最低开关损耗驱动高侧和低侧N沟道FET。包括自适应死区控制和直通保护。
TPS51601ADRBT采用节省空间的8引脚3 mm×3 mm SON封装,可在-40°C和105°C之间工作。
特色
- 高压同步降压驱动器
- 用于引导动作的集成升压开关
- 自适应死区控制和直通保护
- 低压侧驱动器的0.4Ω吸收电阻
- 高压侧驱动的1.0Ω源电阻
- SKIP引脚可提高轻载效率
- 实现最佳轻载效率的自适应过零检测
- 8针3 mm×3 mm SON(DRB)封装