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TPS51601ADRBT

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-SON (3x3) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.81993 12.81993
10+ 11.51621 115.16211
25+ 10.86435 271.60875
100+ 9.25570 925.57020
250+ 8.69090 2172.72525
500+ 7.60446 3802.23300
1000+ 7.17409 7174.09200
  • 库存: 10126
  • 单价: ¥12.81993
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.82
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 供应商设备包装 8-SON (3x3)
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 上升/下降时长(典型值) 15ns, 10ns
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TJ)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.7伏、4伏

TPS51601ADRBT 产品详情

TPS51601ADRBT是带有集成升压开关的同步降压MOSFET驱动器。这种高性能驱动器能够以最高速度和最低开关损耗驱动高侧和低侧N沟道FET。包括自适应死区控制和直通保护。

TPS51601ADRBT采用节省空间的8引脚3 mm×3 mm SON封装,可在-40°C和105°C之间工作。

特色

  • 高压同步降压驱动器
  • 用于引导动作的集成升压开关
  • 自适应死区控制和直通保护
  • 低压侧驱动器的0.4Ω吸收电阻
  • 高压侧驱动的1.0Ω源电阻
  • SKIP引脚可提高轻载效率
  • 实现最佳轻载效率的自适应过零检测
  • 8针3 mm×3 mm SON(DRB)封装


TPS51601ADRBT所属分类:栅极驱动器,TPS51601ADRBT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPS51601ADRBT价格参考¥12.819933,你可以下载 TPS51601ADRBT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPS51601ADRBT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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