所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC21222-Q1器件是一个隔离的双通道栅极驱动器，具有可编程的死区时间和宽的温度范围。该设备在极端温度条件下表现出一致的性能和可靠性。它采用4-A峰值电源和6-Apeak-sink电流来驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。
UCC21222-Q1设备可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或半桥驱动器。5ns延迟匹配性能允许两个输出并联，在重载条件下驱动强度加倍，不会出现内部穿透风险。
输入侧通过3.0-kVRMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为100-V/ns。
电阻可编程死区时间提供了根据系统约束调整死区时间的能力，以提高效率并防止输出重叠。其他保护功能包括：禁用DIS设置为高时同时关闭两个输出的功能，集成的抗干扰滤波器可抑制短于5ns的输入瞬变，负电压处理可在输入和输出引脚上处理敢达2V的峰值，持续200ns。所有电源均具有UVLO保护。
特色
- AEC Q100合格：
- 设备温度等级1
- 设备HBM ESD等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C6
- 接头温度范围–40°C至150°C
- 电阻器可编程死区时间
- 通用：双低端、双高端或半桥驱动器
- 4-A峰值源，6-A峰值接收输出
- 3V至5.5V输入VCCI范围
- 高达18 V VDD输出驱动电源
- 8伏VDD UVLO
- 切换参数：
- 28 ns典型传播延迟
- 10 ns最小脉冲宽度
- 5-ns最大延迟匹配
- 5.5-ns最大脉冲宽度失真
- TTL和CMOS兼容输入
- 集成Deglitch过滤器
- I/O耐受–2-V，持续200 ns
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于100-V/ns
- 隔离栅寿命>40年
- 浪涌Immunyup至7800-VPK
- 窄体SOIC-16（D）封装
- 安全相关认证（计划）：
- 4242-VPK隔离符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01和DIN EN 61010-1
- 根据UL1577，3000-VRMS隔离1分钟
- 符合IEC 60950-1、IEC 62368-1和IEC 61010-1终端设备标准的CSA认证
- 符合GB4943.1-2011的CQC认证
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC21222-Q1器件是一个隔离的双通道栅极驱动器，具有可编程的死区时间和宽的温度范围。该设备在极端温度条件下表现出一致的性能和可靠性。它采用4-A峰值电源和6-Apeak-sink电流来驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。
UCC21222-Q1设备可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或半桥驱动器。5ns延迟匹配性能允许两个输出并联，在重载条件下驱动强度加倍，不会出现内部穿透风险。
输入侧通过3.0-kVRMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为100-V/ns。
电阻可编程死区时间提供了根据系统约束调整死区时间的能力，以提高效率并防止输出重叠。其他保护功能包括：禁用DIS设置为高时同时关闭两个输出的功能，集成的抗干扰滤波器可抑制短于5ns的输入瞬变，负电压处理可在输入和输出引脚上处理敢达2V的峰值，持续200ns。所有电源均具有UVLO保护。
