LM5108DRCR是一种高频半桥栅极驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100 V。它允许在基于半桥配置的拓扑结构中控制两个N沟道MOSFET，例如同步降压、全桥、有源箝位正向、LLC和同步升压。
该装置具有联锁功能，在两个输入均为高电平时，可防止两个输出同时为高电。这种互锁功能提高了电机驱动和电动工具应用中的系统鲁棒性。启用和禁用功能允许灵活快速地控制功率级。电池供电的工具还可以使用LM5108DRCR的启用功能，以减少待机电流并响应系统故障。输入与电源电压无关，可以具有独立的脉冲宽度。这允许最大的控制灵活性。输入和使能都具有足够的滞后性，以提高系统的鲁棒性，避免电机驱动等易受噪声影响的应用。
低侧和高侧输出在彼此的接通和断开之间匹配为1-ns。这允许死区时间优化，进而提高效率。5V UVLO允许驱动器在较低的偏置电源下工作，这进一步允许功率级在较高的开关频率下工作而不增加开关损耗。VDD和HB UVLO阈值规格的设计使得高侧驱动器和低侧驱动器通常在5V时打开。如果VDD和HBUVLO阈值相同，则设计者将需要比VDD UVLO阈值更高的偏置电源来打开高侧驱动器与低侧驱动器。
板载自举二极管消除了对外部分立二极管的需要，从而提高了板空间利用率。小型封装可实现密集型电源设计，如电动工具。
特色
- 驱动高侧低侧配置的两个N沟道MOSFET
- 3毫米x 3毫米包装
- 联锁或交叉传导保护
- 启用/禁用功能
- HS上的绝对最大负电压处理（–5 V）
- 5V典型欠压锁定
- 20 ns典型传播延迟
- 在1000 pF负载下，11 ns上升，8 ns典型下降时间
- 1-ns典型延迟匹配
- 2.6-A宿，1.6-A源输出电流
- 绝对最大启动电压110 V
- 禁用时的低电流（7-μA）消耗
- 集成自举二极管
