UCC27511A-Q1器件是一种紧凑型栅极驱动器，可提供NPN和PNP分立驱动器（缓冲电路）解决方案的卓越替代。UCC27511A-Q1器件是一种汽车级单通道低侧高速栅极驱动器，适用于MOSFET、IGBT和GaN等新兴宽带隙功率器件。该设备具有快速上升时间、下降时间和传播延迟，使UCD27511A-Q1设备适合高速应用。该器件具有不对称驱动的4-A峰值源和8-A峰值漏电流，提高了对寄生米勒关断效应的免疫力。分离输出配置仅使用两个电阻器即可轻松独立地调整上升和下降时间，无需外部二极管。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 1级设备温度：-40°C至125°C环境工作温度范围
- 设备HBM ESD等级2
- 设备CDM ESD分类等级C4B
- 低成本门驱动器设备，提供NPN和PNP分立解决方案的卓越替代
- 4-A峰值源和8-A峰值汇不对称驱动
- 强吸收电流提供增强的米勒关断抗扰度
- UCC27511A-Q1中的分离输出配置（允许轻松独立地调整打开和关闭速度）
- 快速传播延迟（典型值为13 ns）
- 快速上升和下降时间（典型值为9纳秒和7纳秒）
- 4.5至18-V单电源范围
- VDD UVLO期间输出保持低（确保通电和断电时无闪烁操作）
- TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 高噪声抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（可选择反相（IN–引脚）或非反相（IN+引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可用于启用或禁用功能
- 输入引脚浮动时输出保持低
- 输入引脚绝对最大电压电平不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 输入引脚能够承受–低于GND引脚的5V DC
- 工作温度范围-40°C至140°C
- 6针DBV（SOT-23）封装选项
UCC27511A-Q1器件是一种紧凑型栅极驱动器，可提供NPN和PNP分立驱动器（缓冲电路）解决方案的卓越替代。UCC27511A-Q1器件是一种汽车级单通道低侧高速栅极驱动器，适用于MOSFET、IGBT和GaN等新兴宽带隙功率器件。该设备具有快速上升时间、下降时间和传播延迟，使UCD27511A-Q1设备适合高速应用。该器件具有不对称驱动的4-A峰值源和8-A峰值漏电流，提高了对寄生米勒关断效应的免疫力。分离输出配置仅使用两个电阻器即可轻松独立地调整上升和下降时间，无需外部二极管。
