UCC27210DDAR和UCC27211驱动器基于流行的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器，但提供了几个显著的性能改进。峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源极和4-A漏极，上拉和下拉电阻已降低到0.9Ω，从而允许在通过MOSFET的米勒高原过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。输入结构现在能够直接处理–10 VDC，这增加了鲁棒性，也允许直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压，最大额定值为20-V。
UCC2721x的开关节点（HS引脚）可以处理–18 V的最大值，这允许高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。UCC27210DDAR（伪CMOS输入）和UCC27211（TTL输入）具有增加的滞后，允许与具有增强的抗噪声能力的模拟或数字PWM控制器接口。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的接通和断开之间匹配为2ns。
片上120V额定自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，提供对称的导通和关断行为，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低。
这两种器件均提供8引脚SOIC（D）、PowerPAD SOIC-8（DDA）、4-mm×4-mm SON-8（DRM）和SON-10（DPR）封装。
特色
- 驱动具有独立输入的高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
- 最大启动电压120V DC
- 4-A汇点，4-A源输出电流
- 0.9-Ω上拉和下拉电阻
- 输入引脚可耐受–10 V至20 V，且与电源电压范围无关
- TTL或伪CMOS兼容输入版本
- 8-V至17-V VDD工作范围（20-V绝对最大值）
- 1000 pF负载下7.2-ns上升和5.5-ns下降时间
- 快速传播延迟时间（典型18 ns）
- 2-ns延迟匹配
- 高压侧和低压侧驱动器的对称欠压锁定
- 提供所有行业标准封装（SOIC-8、PowerPAD？SOIC-8，4-mm×4-mm SON-8和4-mm×4mm SON-10）
- 规定温度为-40至140°C
UCC27210和UCC27211驱动器基于流行的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器，但提供了几个显著的性能改进。峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源极和4-A漏极，上拉和下拉电阻已降低到0.9Ω，从而允许在通过MOSFET的米勒高原过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。输入结构现在能够直接处理–10 VDC，这增加了鲁棒性，也允许直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压，最大额定值为20-V。
UCC2721x的开关节点（HS引脚）可以处理–18 V的最大值，这允许高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。UCC27210（伪CMOS输入）和UCC27211（TTL输入）具有增加的滞后，允许与具有增强的抗噪声能力的模拟或数字PWM控制器接口。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的接通和断开之间匹配为2ns。
片上120V额定自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，提供对称的导通和关断行为，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低。
这两种器件均提供8引脚SOIC（D）、PowerPAD SOIC-8（DDA）、4-mm×4-mm SON-8（DRM）和SON-10（DPR）封装。
