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MC33151VDR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6.5V ~ 18V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 30.80319 30.80319
10+ 26.97775 269.77753
30+ 24.70771 741.23136
  • 库存: 4563
  • 单价: ¥30.80319
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.80
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A,1.5A
  • 电源电压 6.5V ~ 18V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.6伏
  • 上升/下降时长(典型值) 31ns, 32ns

MC33151VDR2G 产品详情

MC34151/MC33151VDR2G是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以高转换速率驱动大电容负载的应用而设计。这些器件的特点是低输入电流,使其与CMOS和LSTL逻辑兼容,输入滞后可实现与输入转换时间无关的快速输出切换,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括一个带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。典型应用包括开关电源、直流-直流转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。这些设备有双列直插式和表面安装式封装。

特色

  • 两个独立通道,1.5 A图腾柱输出
  • 1000 pF负载时15 ns的输出上升和下降时间
  • 具有滞后的CMOS/LSTTL兼容输入
  • 带滞后的欠压锁定
  • 低待机电流
  • 高效的高频操作
  • 使用通用开关调节器控制IC提高系统性能
  • 引脚输出等效于DS0026和MMH0026


(图片:引出线)

MC33151VDR2G所属分类:栅极驱动器,MC33151VDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC33151VDR2G价格参考¥30.803192,你可以下载 MC33151VDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC33151VDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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