用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中具有典型的0.25 A源极和0.5 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 欠压锁定
- 带下拉的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入异相(IR2118)或与输入同相(IR2117)
应用
- 电机控制和驱动
- 工业加热和焊接
- 电源
- 快速电动汽车充电
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.98852 | 7.98852 |
10+ | 7.53631 | 75.36317 |
30+ | 6.70730 | 201.21927 |
100+ | 5.96947 | 596.94750 |
500+ | 5.63158 | 2815.79350 |
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用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中具有典型的0.25 A源极和0.5 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。