LTC444IMS8E-5是一种高频高压栅极驱动器，用于驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET，电源电压高达100V。这种强大的驱动器减少了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。
LTC444IMS8E-5配置为两个电源独立输入。高侧输入逻辑信号被内部电平移位到自举电源，自举电源可以在高达地上114V的电压下工作。
LTC444IMS8E-5包含低电压锁定电路，在激活时禁用外部MOSFET。自适应穿透保护防止两个MOSFET同时导通。
有关此产品系列中的类似驱动程序，请参阅下表。
参数LTC444LTC4446LTC444-5直通保护是否是绝对最大TS100V100V100VMOSFET栅极驱动7.2V至13.5V7.2V至13.5V4.5V至13.5VVCC UV+6.6V6.6V4VVCC UV–6.15V6.15V3.55V特色
- AEC-Q100汽车应用认证
- 引导电源电压至114V
- 宽VCC电压：7.2V至13.5V
- 自适应穿透保护
- 2.5A峰值TG上拉电流
- 3A峰值BG上拉电流
- 1.2ΩTG驱动器下拉
- 0.55ΩBG驱动器下拉
- 5ns TG下降时间驱动1nF负载
- 8ns TG上升时间驱动1nF负载
- 3ns BG下降时间驱动1nF负载
- 6ns BG上升时间驱动1nF负载
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 热增强型8引脚MSOP封装
应用
- 分布式电源体系结构
- 汽车电源
- 高密度电源模块
- 电信
