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MAX5064BATC+
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MAX5064BATC+

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8V ~ 12.6V 供应商设备包装: 12-TQFN（4x4） 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 模拟器件公司 (Analog)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 77.42660 77.42660
10+ 69.92295 699.22957
25+ 66.66654 1666.66372
100+ 57.88670 5788.67050
250+ 55.28505 13821.26400
500+ 50.40696 25203.48150
1000+ 48.78093 48780.93200
  • 库存: 1606
  • 单价: ¥77.42660
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥77.43
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 输入类别 反转，非反转
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 2A，2A
  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 电源电压 8V ~ 12.6V
  • 高侧最大电压 (自举) 125伏
  • 上升/下降时长（典型值） 65ns, 65ns
  • 包装/外壳 12-WQFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 12-TQFN（4x4）

MAX5064BATC+ 产品详情

MAX5062/MAX5063/MAX5064高频125V半桥n沟道MOSFET驱动器驱动高压应用中的高侧和低侧MOSFET。这些驱动器是独立控制的，其从输入到输出的35ns典型传播延迟在3ns（典型值）内匹配。驱动器之间的传播延迟非常低且匹配的高压操作，以及热增强封装中的高源/汇电流能力，使这些设备适合于高功率、高频电信功率转换器。125V最大输入电压范围为电信标准的100V输入瞬态要求提供了足够的裕度。连接在VDD和BST之间的可靠片上自举二极管消除了对外部分立二极管的需要。MAX5062A/C和MAX5063A/C都提供非反转驱动程序（请参阅完整数据表的选择器指南）。MAX5062B/D和MAX5063B/D提供非反相高侧驱动器和反相低侧驱动器。MAX5064A/B为每个驱动器提供两个输入，可以是反相或非反相。MAX5062A/B/C/D和MAX5064A具有CMOS（VDD/2）逻辑输入。MAX5063A/B/C/D和MAX5064BATC具有TTL逻辑输入。MAX5064A/B包括一个先断后合调整输入，用于将驱动器之间的死区时间从16ns设置为95ns。驱动程序采用行业标准的8引脚SO封装和引脚配置，以及热增强型8引脚SO和12引脚（4mm x 4mm）薄QFN封装。所有设备在-40°C至+125°C汽车温度范围内运行。

特色

  • HIP2100/HIP2101引脚兼容（MAX5062A/MAX5063A）
  • 高达125V输入操作
  • 8V至12.6V V日输入电压范围
  • 2A峰值源极和漏极电流驱动能力
  • 35ns典型传播延迟
  • 驱动器间保证8ns传播延迟匹配
  • 可编程先断后合定时（MAX5064）
  • 驱动100nC栅极电荷时，高达1MHz的组合开关频率（MAX5064）
  • CMOS（V日/2）或TTL逻辑电平输入，具有滞后
  • 高达15V的逻辑输入，与输入电压无关
  • 低2.5pF输入电容
  • 故障或PWM启停同步期间驱动器的瞬时关闭（MAX5064）
  • 低200μA电源电流
  • 具有非反相和反相驱动器组合（MAX5062B/D和MAX5063B/D）的版本
  • 提供8引脚SO、热增强SO和12引脚薄QFN封装

应用

  • 有源箝位正激变换器
  • 全桥转换器
  • 电机控制
  • 电源模块
  • 电信半桥电源
  • 两个开关正向转换器


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器件图
型号
制造商
描述
价格
MAX14K500DMAX14K500D多美尔 (Vishay Foil)电阻: 14.5 kOhms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥76.81096
MAX11K000BMAX11K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 11千欧姆 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥80.46862
MAX32K000BMAX32K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 32 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX33K850BMAX33K850B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 33.85 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX39K000BMAX39K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 39 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX43K000BMAX43K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 43 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX49K000BMAX49K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 49 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX55K000BMAX55K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 55 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX58K000BMAX58K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 58 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX59K000BMAX59K000B多美尔 (Vishay Foil)电阻: 59 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度¥101.91847
MAX5064BATC+所属分类：栅极驱动器，MAX5064BATC+ 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MAX5064BATC+价格参考￥77.426601，你可以下载 MAX5064BATC+中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MAX5064BATC+规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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