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NCP51705MNTXG

  • 描述:闸门类型: 碳化硅MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 10伏~22伏 供应商设备包装: 24-QFN(4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 24.62586 24.62586
10+ 22.11257 221.12574
25+ 20.90300 522.57522
100+ 18.11521 1811.52170
250+ 17.18595 4296.48825
500+ 15.42100 7710.50150
1000+ 15.33684 15336.84100
3000+ 15.33684 46010.52300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥24.62586
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24.63
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 输入类别 反转,非反转
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 上升/下降时长(典型值) 8ns, 8ns
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 6A, 6A
  • 包装/外壳 24-VFQFN外露焊盘
  • 电源电压 10伏~22伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、1.6伏
  • 闸门类型 碳化硅MOSFET
  • 供应商设备包装 24-QFN(4x4)

NCP51705MNTXG 产品详情

NCP51705MNTXG驱动器主要用于驱动SiC MOSFET晶体管。为了实现最低可能的传导损耗,驱动器能够向SiC MOSFET器件输送最大允许的栅极电压。通过在接通和断开期间提供高峰值电流,开关损耗也被最小化。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快的关断速度,NCP51705MNTXG可以利用其板上电荷泵产生用户可选择的负电压轨。对于隔离应用,NCP51905MNTVG还提供外部可访问的5V轨,为数字或高速光隔离器的二次侧供电。

特色

  • 具有分离输出级的高峰值输出电流
  • 允许独立的接通/断开调整
  • 最大28 V的扩展正电压额定值
  • 传导期间的高效SiC MOSFET操作
  • 用户可调节内置负电荷泵(-3.3 V至-8 V)
  • 快速关断和鲁棒的dV/dt抗扰度
  • 可接近的5V参考/偏置轨
  • 最小化隔离栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
  • 可调欠压锁定
  • 足够的VGS振幅以匹配SiC的最佳性能
  • 快速去饱和功能
  • 设计的自我保护
  • QFN24包装4 x 4 mm
  • 小型和低寄生电感封装

应用

  • 高性能逆变器
  • 大功率电机驱动器
  • 图腾柱PFC
  • 工业和电机驱动
  • UPS和太阳能逆变器
  • 大功率直流充电器
NCP51705MNTXG所属分类:栅极驱动器,NCP51705MNTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP51705MNTXG价格参考¥24.625860,你可以下载 NCP51705MNTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP51705MNTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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