ADG819BRM-R2是单片CMOS SPDT（单刀双掷）开关。这种开关是在亚微米工艺上设计的，它提供低功耗，同时提供高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流。低功耗和+1.8V至+5.5V的工作电源范围使ADG819BRM-R2成为电池供电的便携式仪器的理想选择。
打开时，ADG819BRM-R2的每个开关在两个方向上的传导都一样好。ADG819BR M-R2表现出先断后合的切换动作，从而在切换通道时防止瞬时短路。（请参阅ADG820了解显示先通后断动作的开关。）
ADG819BRM-R2有6引线SOT-23封装、8引线µSOIC封装以及2x3阵列MicroCSP封装。该芯片仅占2.18mm x 1.14mm的面积，因此是空间受限应用的理想选择。
特色
- 125°C时低导通电阻0.8 O最大值
- 0.25Ω最大导通电阻平坦度
- +1.8 V至+5.5 V单电源
- 200 mA载流能力
- 汽车温度范围：-40°C至+125°C
- 铁路对铁路运营
- 6引线SOT-23封装、8引线µSOIC封装和6凸点MicroCSP（微芯片级封装）
- 快速切换时间
- 典型功耗（<0.01µW）
- TTL/CMOS兼容输入
- 引脚与
（图片：引出线）
