BTM7710G

特征

•四路D-MOS开关驱动器

•可自由配置为桥接或四路开关

•针对直流电机管理应用进行了优化

•低RDS开启

高侧：70 mΩ 典型@25°C，180米Ω 最高@150°C

低侧：40 mΩ 典型@25°C，80米Ω 最高@150°C

•峰值电流：典型值。25°C时为15 A

•极低静态电流：典型值。25°C时为5µA

•外形小巧、功率增强的PG DSO封装

•工作电压高达40 V

•负载和GND短路保护

•过热停机，滞后

•带滞后的欠压检测

•状态标志诊断

•内部钳位二极管

•外部电流传感的隔离源

•绿色产品（符合RoHS）

•AEC合格

描述

BTM7710G是TrilithIC系列的一部分，在一个封装中包含三个管芯：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直DMOS芯片的漏极安装在分离的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此BTM7710G可以用于H桥以及任何其他配置。双高端开关采用SMART SIPMOS®技术制造，该技术将低RDS ON垂直DMOS功率级与CMOS电路相结合，用于控制、保护和诊断。为了实现低RDS ON和快速切换性能，低侧开关采用S-FET逻辑电平技术制造。

特色

应用

（图片：引出线）