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CSD88539NDT是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为741pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3.6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9.4nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4ns，上升时间为9ns，Vgs栅源极电压为20V，Id连续漏极电流为11.7A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为7.2nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
CSD88537NDT是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC，包括3.6V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如60 V，单位重量设计为0.019048盎司，该器件也可以用作5ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术Si，供应商器件封装为8-SO，系列为NexFET？，上升时间为15ns，Rds On Max Id Vgs为15mOhm@8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为15mOhms，Qg栅极电荷为14nC，最大功率为2.1W，Pd功耗为2.1W，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1400pF@30V，Id连续漏极电流为16 A，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，正向跨导最小值为42 S，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为标准，下降时间为19 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为15A，配置为双通道，通道模式为增强型。
CSD88539ND是MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC，包括双配置，它们设计为在15A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于60V，提供4 ns等下降时间特性，FET特性设计为在标准模式下工作，以及2 N沟道（双）FET类型，该器件还可以用作19 S正向跨导最小值。此外，栅极电荷Qg Vgs为9.4nC@10V，该器件提供11.7 A Id连续漏电流，该器件具有741pF@30V输入电容Ciss Vds，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为2.1W，最大功率为2.1W；Qg栅极电荷为7.2nC，漏极-源极电阻Rds为23mOhm，最大Id Vgs Rds为28mOhm@5A，10V，上升时间为9ns，系列为NexFET？，供应商器件封装为8-SOIC，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.019048oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Vgsth最大Id为3.6V@250μA。
