ADG419SRMZ-EP-RL7是单片CMOS SPDT开关。该开关是在增强型LC2MOS工艺上设计的，该工艺提供低功耗，同时提供高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流。
ADG419SRMZ-EP-RL7的导通电阻分布在整个模拟输入范围内非常平坦，确保了出色的线性度和低失真。该部分还具有高切换速度和高信号带宽。CMOS结构确保了超低功耗，使这些部件非常适合便携式和电池供电的仪器。
ADG419SRMZ-EP-RL7的每个开关在接通时在两个方向上都导通良好，并且具有延伸至电源的输入信号范围。在关闭状态下，高达电源的信号电平被阻断。ADG419SRMZ-EP-RL7具有先断后合的开关动作。
ADG419-EP支持国防和航空航天应用（AQEC）
特色
- 44 V电源最大额定值
- VSS至VDD模拟信号范围
- 低导通电阻：<35Ω
- 超低功耗：<35μW
- 快速过渡时间：最大160纳秒
- 先断后合开关动作
- DG419的插件更换
- 下载（pdf）
- 军用温度范围：
- −55°C至+125°C
- 受控制造基线
- 一个组装/测试现场
- 一个制造场地
- 增强的产品更改通知
- 根据要求提供资格数据
- V62/10615 DSCC图纸编号
应用
- 精密测试设备
- 精密仪器仪表
- 电池供电系统
- 取样和保持系统
（图片：引出线）
