ADG719SRJZ-EP-R2是单片CMOS SPDT开关。该开关是在亚微米工艺上设计的，该工艺提供低功耗，同时提供高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流。
ADG719SRJZ-EP-R2可以在1.8 V到5.5 V的单电源范围内工作，非常适合用于电池供电的仪器，以及股份有限公司的新一代DAC和ADC。
ADG719SRJZ-EP-R2的每个开关在接通时在两个方向上的导电性都一样好。
由于采用了先进的亚微米工艺，可以实现−3 dB带宽大于200 MHz。
ADG719SRJZ-EP-R2有6引脚SOT-23封装和8引脚MSOP封装。
ADG719-EP支持军事和航空航天应用。
产品亮点特色
- 1.8 V至5.5 V单电源
- 4Ω（最大值）导通电阻
- 0.75Ω（典型值）导通电阻平坦度
- -3 dB带宽>200 MHz
- 铁路对铁路运营
- 6导联SOT-23封装和8导联MSOP封装
- 快速切换时间tON12 nstOFF6 ns
- 典型功耗（<0.01µW）
- TTL/CMOS兼容
- 下载（pdf）
- 军用温度范围：−55°C至+125°C
- 受控制造基线
- 增强的产品更改通知
- 资格数据可根据要求提供
- V62/12650 DSCC图纸编号
应用
- 电池供电系统
- 通信系统
- 样品保持系统
- 音频信号路由
- 视频切换
- 机械簧片继电器的更换
