CBTV24DD12设计用于1.8 V/2.5 V/3.3 V电源电压操作，并支持伪开放漏极（POD）、SSTL_12、SSTL.15或SSTL_18信号和CMOS选择输出电平。该设备设计用于DDR4、DDR3或DDR2内存总线系统，速度高达3200 MT/s。
CBTV24DD12具有1:2交换机或2:1多路复用拓扑，并提供12位宽的总线。每个12位宽a端口可以同时切换到两个端口B和C中的一个，用于所有位。由于使用FET开关，每个端口都是非定向的，从而允许许多需要高带宽切换或多路复用的应用。
端口的选择是通过简单的CMOS输入（SELect）实现的。另一个CMOS输入（ENable）可用于断开所有端口。SEL0、SEL1和EN输入信号设计为作为高达3.3V的CMOS输入电平信号透明运行。CBTV24DD12使用NXP专有的高速开关架构，提供高带宽、非常小的插入损耗、返回损耗和非常低的传播延迟，允许在需要高速信号切换或复用的许多应用中使用。它采用3.0 mm×8.0 mm TFBGA48封装，球距为0.65 mm，考虑到最佳尺寸与电路板布局密度。其特点是在-10°C至+85°C的温度范围内工作。
特色
- 12位总线宽度
- 1:2交换机/MUX拓扑
- 双向操作
- 简单CMOS选择引脚（SEL0、SEL1）
- 简单CMOS使能引脚（EN）
- 3200公吨/秒吞吐量
- 7.4 GHz带宽（用于单端和差分信号）
- 低ON插入损耗
- 低回波损耗
- 低串扰
- 高关断隔离
- POD_12、SSTL_12、SSTL.15或SSTL_18信号
- 低RON（8Ω 典型）
- 低ΔRON（<1Ω)
- 1.8 V/2.5 V/3.3 V电源电压操作
- 极低电源电流（典型值为600µA）
- 这些开关的所有I/O引脚上的反向电流保护
- ESD鲁棒性超过2.5 kV HBM，1 kV CDM
- 提供TFBGA48封装，3.0 mm×8.0 mm×1.0 mm尺寸，0.65 mm间距，无铅/深绿色
- DDR4/DDR3/DDR2内存总线系统
- NVDIMM模块
- 需要高速多路复用的系统
- 闪存阵列子系统
