iCMOS®(工业CMOS)模块化制造工艺结合了高压互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术。它能够开发一系列高性能模拟IC,能够在其他一代高压部件无法实现的占地面积内实现33 V操作。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS组件可以耐受高电源电压,同时提供更高的性能、显著降低的功耗和更小的封装尺寸。
导通电阻分布在整个模拟输入范围内非常平坦,确保切换音频信号时具有良好的线性度和低失真。iCMOS结构确保了超低功耗,使该部件非常适合便携式和电池供电的仪器。
产品亮点应用程序
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 取样和保持系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
- 继电器更换
特色
- 1.Ω 接通电阻
- 0.2Ω 电阻平坦度
- 持续电流高达435 mA
- 在+12 V、±15 V、±5 V时完全指定
- 无需VL供应
- 3 V逻辑兼容输入
- 铁路对铁路运营
- 8引线MSOP和8引线,3 mm×2 mm LFCSP封装
(图片:引出线)