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DG2012EDL-T1-GE3

  • 描述:电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 1.6欧姆 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.28874 10.28874
10+ 8.88048 88.80483
30+ 7.99769 239.93070
  • 库存: 50319
  • 单价: ¥10.28875
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.29
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规格参数

  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 部件状态 可供货
  • 开关线路 继电器
  • 多路复用器/解复用器电路 2:1
  • 电源电压,双电源电压(±) -
  • 安装类别 表面安装
  • 电线数量 one
  • 电源电压,单电源电压(±) 1.65伏~5.5伏
  • 通路至通路匹配 (Δ导通电阻) 300欧姆
  • 充电注入 8pC
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 最大漏电电流 (IS(off)) 5nA
  • 3db 频段宽度 160MHz
  • 通道电容(CS(关闭),CD(关闭)) 16pF
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 串化干扰 -63分贝@1MHz
  • 供应商设备包装 SC-70-6
  • 最大开关时间(Ton, Toff) 32ns, 28ns
  • 最大值通态电阻 1.6欧姆

DG2012EDL-T1-GE3 产品详情

DG2012DL-T1-E3是一种单极双掷(SPDT)低压单片CMOS模拟开关,设计用于模拟信号的高性能切换。DG2012结合了低功耗、高速(tON:17ns,tOFF:13ns)、低导通电阻(rDS(on):1R)和小物理尺寸(SC70),非常适合需要高性能和有效利用电路板空间的应用。它基于Vishay Siliconix的低压亚微米CMOS工艺。外延层防止闩锁。DG2012保证先断后合。每一个开关在打开时在两个方向上的传导都一样好,而在关闭时阻断到电源电平。

特色

  • 降低功耗
  • 简单逻辑接口
  • 高精度
  • 减少电路板空间
  • 低泄漏
  • TTL/CMOS兼容
DG2012EDL-T1-GE3所属分类:模拟开关/多路复用/解复用器,DG2012EDL-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DG2012EDL-T1-GE3价格参考¥10.288749,你可以下载 DG2012EDL-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DG2012EDL-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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