MD1213K6-G是一种高速双MOSFET驱动器。它被设计为驱动高压P和N沟道MOSFET晶体管，用于医疗超声和其他需要电容负载高输出电流的应用。MD1213K6-G的高速输入级可在1.8至5.0V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8至3.3V。使用自适应阈值电路将电平转换器开关阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值。即使驱动器输出双极信号，输入逻辑电平也可以以地为基准。电平转换器使用专用电路，该电路提供直流耦合和高速操作。MD1213K6-G的输出级具有独立的电源连接，使输出信号L和H电平能够独立于大多数电路使用的电源电压进行选择。例如，输入逻辑电平可为0和1.8V，控制逻辑可由+5.0至-5.0V供电，输出L和H电平可在-5.0至+5.0V范围内的任何地方变化。输出级的峰值电流可达±2.0A，取决于使用的电源电压和负载电容。OE引脚具有双重用途。首先，其逻辑H电平用于计算信道输入电平转换器的阈值电压电平。其次，当OE低时，输出被禁用，A输出高，B输出低。这有助于对AC耦合电容器进行适当的预充电，该AC耦合电容可以在外部PMOS和NMOS晶体管对的栅极驱动电路中串联使用。
特色
- 1000pF负载下的6.0ns上升和下降时间
- 2.0A峰值输出源/汇电流
- 1.8至5.0V输入CMOS兼容
- 4.5至13V总电源电压
- 智能逻辑阈值
- 低抖动设计
- 两个匹配的通道
- 输出可在地面以下摆动
- 低电感封装
- 热增强包装
