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NCP5901DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~13.2伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.27331 4.27331
10+ 3.65042 36.50422
25+ 3.40416 85.10407
100+ 2.72333 272.33300
250+ 2.52922 632.30525
500+ 2.13998 1069.99350
1000+ 1.65362 1653.62600
2500+ 1.60589 4014.74000
  • 库存: 25005
  • 单价: ¥4.27331
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1V, 2V
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 0摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 35伏
  • 电源电压 4.5伏~13.2伏
  • 上升/下降时长(典型值) 16ns, 11ns
  • 种类 -

NCP5901DR2G 产品详情

NCP5901DR2G是一款高性能双MOSFET驱动器,经过优化,可驱动同步降压转换器中高侧和低侧功率MOSFET的栅极。它可以驱动高达3.0 nF的负载,具有25 ns的传播延迟和20 ns的转换时间。自适应抗交叉传导和节能操作电路可以为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案。当在OVP、UVLO下检测到栅极驱动器故障时,双向EN引脚可以向控制器提供故障信号。此外,欠压锁定功能可确保电源电压低时输出低。

特色

  • 快速上升和下降时间
  • 自适应抗交叉传导电路
  • 预过压功能

应用

  • Vcore电力子系统
  • 台式计算机


(图片:引出线)


NCP5901DR2G所属分类:栅极驱动器,NCP5901DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP5901DR2G价格参考¥4.273311,你可以下载 NCP5901DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP5901DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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