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IXDN602SIA是双低端MOSFET驱动器，包括IXDN602系列，它们设计用于与MOSFET栅极驱动器产品一起工作，类型如数据表注释所示，用于非反转，提供管等封装功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作Clare商品名，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，器件的工作电源电流为10 uA，输出电流为2A，下降时间为6.5 ns，上升时间为7.5 ns，电源电压最大值为35 V，电源电压最小值为4.5 V，封装外壳为SOIC-8，驱动器数量为2个驱动器，并且最大关断延迟时间为75ns，并且最大接通延迟时间为75ms。
IXDN602SITR带有用户指南，其中包括非反相模拟电源，它们设计用于低侧类型，商品名显示在数据表注释中，用于Clare，提供供应商设备包功能，如8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘、S N比率ADC DAC db Typ，设计用于0.8V、3V以及4.5V～35V Sigma Delta，该设备也可作为IXDN602系列使用。此外，分辨率位为2，该设备提供磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有封装外壳的表面安装，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
IXDN602SIATR带电路图，包括独立数据接口，设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，以及表面安装封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，分辨率位为2，该设备为IXDN602系列，该设备具有4.5 V~35 V的Sigma Delta，S N比ADC DAC db Typ为0.8V，3V，供应商设备包为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），商品名为Clare，类型为低端，电压供应模拟为非反相。
