L6392DTR是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
该IC嵌入了一个运算放大器,适用于磁场定向电机控制等应用中的高级电流传感。
特色
- 290 mA电源
- 430毫安汇
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 134.99507 | 13499.50750 |
1000+ | 127.35417 | 127354.17800 |
3000+ | 113.34477 | 340034.33700 |
10000+ | 100.87611 | 1008761.13000 |
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L6392DTR是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
该IC嵌入了一个运算放大器,适用于磁场定向电机控制等应用中的高级电流传感。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...