特色
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应穿透保护
- 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高开关频率
- 快速输出上升和下降
- 超低三态保持时间（20ns）
- ISL6605替换，性能增强
- BOOT电容器过充电保护（ISL6609A）
- 低VF内部自举二极管
- 低偏置电源电流
- 启用输入和通电复位
- QFN包
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
- 近芯片级封装封装；提高PCB效率，外形更薄
- 无铅（符合RoHS）
ISL6609AIBZ
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 32.15847 | 32.15847 |
| 10+ | 28.87019 | 288.70199 |
| 25+ | 27.29414 | 682.35360 |
| 100+ | 23.65458 | 2365.45870 |
| 250+ | 22.44140 | 5610.35025 |
| 500+ | 20.13642 | 10068.21050 |
| 1000+ | 19.11111 | 19111.11600 |
- 库存: 1005
- 单价: ¥32.15848
-
数量:
- +
- 总计: ¥32.16
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规格参数
- 驱动器数量 two
- 逻辑电压-VIL、VIH 1V, 2V
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 电源电压 4.5伏~5.5伏
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 上升/下降时长（典型值） 8ns, 8ns
- 高侧最大电压 (自举) 36伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -，4A
- 部件状态 上次购买
- 特点 -
ISL6609AIBZ 产品详情
ISL6609、ISL6609A是一种高频MOSFET驱动器，经过优化，可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器相结合，形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低压电源（5V）偏置，在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实现成本和复杂性，并允许使用更高性能、成本有效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6609、ISL6609A为下栅极驱动器提供4A典型的吸收电流，在PHASE节点上升沿期间增强了下MOSFET栅极抑制能力，防止了由于开关节点的高dV/dt而导致的下MOSFET自导通造成的功率损失。ISL6609、ISL6609A还具有识别高阻抗状态的输入，与Intersil多相PWM控制器一起工作，以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要，该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。此外，ISL6609A的自举功能旨在防止BOOT电容器过度充电，如果PHASE节点的过渡出现过大的负摆动。
ISL6609AIBZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
ISL6609AIBZ所属分类：栅极驱动器，ISL6609AIBZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL6609AIBZ价格参考￥32.158476，你可以下载 ISL6609AIBZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL6609AIBZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
