英飞凌基于成熟的现有SOI技术生产的3相600V MOSFET和IGBT栅极驱动器IC。这些坚固的器件中没有寄生晶闸管结构,因此在所有正常操作条件下都无法锁定。驱动器包括欠电压过电流检测,并且可以由低至3.3V的CMOS或LSTL兼容信号控制。
最大阻断电压600V
六个独立驱动程序
通过3.3V逻辑控制
带滞后的欠电压检测
过电流检测
特色
- 薄膜SOI技术
- 最大阻断电压+60V
- 所有六个驱动器的单独控制电路
- CMOS和LSTTL兼容输入(正逻辑)
- 各相信号联锁,防止交叉传导
- 检测过电流和欠电压电源
- 节省空间套餐
- 提高能源效率
应用
- 感应加热
- 电机控制和驱动
- 不间断电源(UPS)
- 太阳能系统解决方案
- 工业焊接
- 3D打印机
- 电动工具