ISL6622CBZ-T

ISL6622CBZ-T是一种高频MOSFET驱动器，设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上功率和下功率N沟道MOSFET。ISL6622CBZ-T的高级PWM协议专门设计用于Intersil VR11.1控制器，并与N沟道MOSFET相结合，形成用于高级微处理器的完整核心电压调节器解决方案。当ISL6622CBZ-T检测到Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它激活二极管仿真（DE）和栅极电压优化技术（GVOT）操作；否则，它在正常的连续传导模式（CCM）PWM模式下工作。在8Ld SOIC封装中，ISL6622CBZ-T在正常PWM模式期间将上栅极和下栅极驱动至VCC，而在PSI模式期间下栅极下降至固定的5.75V（通常）。10 Ld DFN部件提供了更大的灵活性：上栅极可以通过UVCC引脚从5V驱动到12V，而下栅极在PSI模式下具有5.75V、6.75V和7.75V（通常）的电阻可选驱动电压。这提供了优化涉及栅极电荷和传导损耗之间的权衡的应用所必需的灵活性。为了进一步提高轻负载效率，ISL6622CBZ-T在PSI模式下启用二极管仿真操作。这通过检测电感器电流何时达到零并随后关闭低侧MOSFET以防止其吸收电流，从而允许不连续传导模式（DCM）。集成了先进的自适应穿透保护，以防止上部和下部MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。ISL6622CBZ-T具有20kΩ 集成高侧栅极到源极电阻器，以防止由于高输入总线dV/dt而导致的自导通。当VCC低于POR阈值时，该驱动器还具有过电压保护功能：PHASE节点通过10kΩ 电阻器，根据分流的电流将转换器的输出电压限制在接近低侧MOSFET的栅极阈值，这在上MOSFET短路时为负载提供一定的保护。

特色