英飞凌基于成熟的现有SOI技术生产的3相600V MOSFET和IGBT栅极驱动器IC。这些坚固的器件中没有寄生晶闸管结构,因此在所有正常操作条件下都无法锁定。驱动器包括欠电压过电流检测,并且可以由低至3.3V的CMOS或LSTL兼容信号控制。
最大阻断电压600V
六个独立驱动程序
通过3.3V逻辑控制
带滞后的欠电压检测
过电流检测
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 30.99961 | 30.99961 |
10+ | 27.84170 | 278.41708 |
25+ | 26.32359 | 658.08990 |
100+ | 22.81368 | 2281.36860 |
250+ | 21.64381 | 5410.95325 |
500+ | 20.34675 | 10173.37750 |
1000+ | 20.34675 | 20346.75500 |
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英飞凌基于成熟的现有SOI技术生产的3相600V MOSFET和IGBT栅极驱动器IC。这些坚固的器件中没有寄生晶闸管结构,因此在所有正常操作条件下都无法锁定。驱动器包括欠电压过电流检测,并且可以由低至3.3V的CMOS或LSTL兼容信号控制。
最大阻断电压600V
六个独立驱动程序
通过3.3V逻辑控制
带滞后的欠电压检测
过电流检测
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。