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TD350E

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 12V ~ 26V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.56983 20.56983
10+ 18.46215 184.62152
25+ 17.44959 436.23987
100+ 15.12389 1512.38990
250+ 14.34818 3587.04625
500+ 12.87454 6437.27200
1000+ 12.80436 12804.36100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.78712
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.57
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 驱动器配置 高压侧
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 电源电压 12V ~ 26V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、4.2伏
  • 供应商设备包装 14-SO
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A、2.3A
  • 上升/下降时长(典型值) 130ns, 75ns (Max)
  • 种类 -

TD350E 产品详情

TD350E器件是IGBT和功率MOSFET的高级栅极驱动器。包括控制和保护功能,允许设计高可靠性系统。

创新的主动米勒钳位功能消除了大多数应用中对负栅极驱动的需求,并允许为高端驱动器使用简单的自举电源。
该设备包括两级关闭功能,具有可调节的电平和延迟。在过电流或短路条件下,该功能可防止关断时过电压。在接通时应用在两级关断特性中设置的相同延迟,以防止脉冲宽度失真。
该设备还包括IGBT去饱和保护和故障状态输出,并与脉冲变压器和光耦合器信号兼容。

特色

  • 1.5 A源极/2.3 A漏极(典型)栅极驱动
  • 主动米勒钳位功能
  • 具有可调电平和延迟的两级关断
  • 去饱和检测
  • 故障状态输出
  • 负栅极驱动能力
  • 输入与脉冲变压器或光耦兼容
  • 分离的汇极和源极输出,便于栅极驱动
  • UVLO保护
  • 2 kV ESD保护(HBM)


TD350E所属分类:栅极驱动器,TD350E 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TD350E价格参考¥20.787123,你可以下载 TD350E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TD350E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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