LTC440EMS8E是一种高频高侧N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用。LTC440EMS8E还可以在100V VIN瞬态期间承受并继续工作。强大的驱动器能力降低了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。LTC440上拉的峰值输出电流为2.4A，下拉的输出阻抗为1.5Ω。
LTC440EMS8E的特点是提供独立的TTL/CMOS兼容输入阈值，具有350mV的滞后。输入逻辑信号在内部电平移位至自举电源，自举电源可在高达地上115V的电压下工作。
LTC440EMS8E包含高压侧和低压侧欠压锁定电路，在激活时禁用外部MOSFET。
LTC440EMS8E采用薄型（1mm）SOT-23和热增强型8引脚MSOP封装。
参数LTC440LTC440-5LTC440A-5Max Operating TS80V60V80V绝对最大TS100V80V100VMOSFET Gate Drive8V to 15V4V to 15V4 V to 15VVCC UV+6.3V3.2V3.2VVCC UV-6.0V3.04V3.04V特色
- 宽工作VIN范围：高达80V
- 耐100V VIN瞬态的坚固架构
- 强大的1.5Ω驱动器下拉
- 强大的2.4A峰值电流驱动器上拉
- 7ns下降时间驱动1000pF负载
- 10ns上升时间驱动1000pF负载
- 驱动标准阈值MOSFET
- 带滞后的TTL/CMOS兼容输入
- 输入阈值与电源无关
- 欠压锁定
- 薄型（1mm）SOT-23（ThinSOT）™ 和热增强型8引脚MSOP封装
应用
- 电信电力系统
- 分布式电源体系结构
- 服务器电源
- 高密度电源模块
