特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
- 用户可编程停滞时间
- 片上电荷泵和自举上偏压电源
- DIS(禁用)超控输入控制
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 极低功耗
- 欠电压保护
- 无铅可用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 47.80314 | 47.80314 |
10+ | 42.94315 | 429.43154 |
25+ | 40.59500 | 1014.87515 |
100+ | 35.18166 | 3518.16620 |
250+ | 33.37789 | 8344.47275 |
500+ | 29.94982 | 14974.91300 |
1000+ | 28.42476 | 28424.76100 |
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