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MIC5011BM-TR,带有引脚细节,包括高端或低端类型,它们设计为与磁带和卷轴(TR)包装一起使用,数据表注释中显示了用于表面安装的包装盒,该表面安装提供了安装类型的功能,例如-40°C~150°C(TJ),供应商设备包设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),以及1分辨率位,该设备也可用作单数据接口。此外,电压供应模拟是非反相的,该设备以ADC DAC的数量提供,该设备具有4.75 V~32 V的Sigma Delta,S N比率ADC DAC db Typ为2V,4.5V。
MIC5011BM是IC DRIVER MIN PARTS HI/LO 8SOIC,包括非反相模拟电源,它们设计用于高侧或低侧类型,数据表注释中显示了用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)的供应商设备包,提供了S N Ratio ADC DAC db Typ功能,如2V、4.5V,Sigma Delta设计用于4.75 V~32 V以及1分辨率位,该设备还可以用作管封装。此外,封装外壳为表面安装,设备提供ADC DAC数量,设备具有-40°C~150°C(TJ)安装类型,数据接口为单一。
MIC5011YM是IC DRIVER MIN PARTS HI/LO 8SOIC,其最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示,提供驱动器数量功能,如1个驱动器,输出数量设计为1,以及10 us关闭时间最大值,该装置也可用作8mA工作电源电流。此外,封装外壳为SOIC-8,器件采用管式封装,器件具有1.25 W的Pd功耗,产品为MOSFET栅极驱动器,系列为MIC5011,电源电压最大值为32 V,电源电压最小值为4.75 V,类型为高低侧驱动器,单位重量为0.019048盎司。
MIC5011BN是IC DRIVER MOSF HI/LOW SIDE 8-DIP,包括管封装,它们设计用于通孔封装外壳,数据表说明中显示了用于单体的数据接口,提供电压供应模拟功能,如非反相,类型设计用于高压侧或低压侧,除了8-DIP(0.300“,7.62mm)供应商设备包外,该设备还可以用作-40°C~150°C(TJ)安装型。此外,Sigma Delta为4.75 V~32 V,该设备提供2V,4.5V S/N比ADC DAC db Typ,该设备具有1个分辨率位,ADC DAC数量为。